抗靜電能力低的器件如何使用?

對於器件的使用者來講，抗靜電能力高的器件總比抗靜電能力低的器件受歡迎。但隨著超大規模積體電路的發展，採用了按比例縮小的設計，以實現體積小、重量輕、功耗小、整合度高，解決器件的高效能、高可靠、低投入、高產出、快週轉等方面的優勢。在製造工藝中普遍採用了淺結、薄氧化層等一系列的微細加工技術，器件的抗靜電能力越來越差。

器件的抗靜電能力又因器件的設計、製造工藝而有所不同。比如，CMOS，與PMOS、NMOS器件比較，雖然抗靜電能力在同一數量級，但CMOS器件比PMOS、NMOS器件的抗靜電能力略高几百伏。

使用者提出抗靜電能力高的器件要求，在某種程度上來說，不太現實。第一，抗靜電能力高的器件在設計、製造工藝中比較複雜，成本較高。第二，抗靜電能力高的器件價格昂貴，整機成本上升。

鑑於以上情況，建議設計整機時，在抗靜電能力低的敏感器件中的輸入/輸出端加一個防雷擊、防過壓、防靜電、抗干擾的一種瞬態電壓抑制電路（TVS），可有效地提高整機的抗靜電能力。瞬態電壓抑制電路在通訊、計算機、I/O埠、訊號的輸入/輸出保護等其它高科技領域已獲得廣泛的應用。

瞬態電壓抑制電路（TVS）是一種高效能的保護器件。當瞬態電壓保護二極體受到反向瞬態高能量衝擊時，它以1×10－12s量級的速度，將其兩極間的高阻抗變成低阻抗。吸收高達數千瓦的浪湧功率，使兩極間的電壓箝位於一個預定值，有效地保護了電子線路的敏感元件，免受各種浪湧脈衝的損傷。該器件具有響應時間快、瞬態功率大、漏電流低、箝位電壓易控制、沒有損傷極限、體積小等優點，在各個領域已得到廣泛的應用。