MOSFET-電極與管型?

場效電晶體介紹

場效應電晶體（Field Effect Transistor縮寫（FET））簡稱場效電晶體。由多數載流子參與導電，也稱為單極型電晶體。它屬於電壓控制型半導體器件。具有輸入電阻高、噪聲小、功耗低、動態範圍大、易於整合、沒有二次擊穿現象以及安全工作區域寬等優點，現已成為雙極型電晶體和功率電晶體的強大競爭者。

判別各電極與管型 用萬用表R×100檔，測量場效應電晶體任意兩引腳之間的正、反向電阻值。其中一次測量中兩引腳的電阻值為數百歐姆，這時兩表筆所接的引腳為源極S和漏極D，而另一引腳為柵極G。 再用萬用表R×10k檔測量兩引腳之間的正、反向電阻值。正常時，正向電阻值為2kΩ左右，反向電阻值大於500kΩ。

在測量反向電阻值時，紅表筆所接引腳不動，黑表筆脫離所接引腳後，先與柵極G觸碰一下，然後再去接原引腳，觀察萬用表讀數的變化情況。若萬用表讀數由原來較大阻值變為0，則此紅表筆所接的即是源極S，黑表筆所接為漏極D。用黑表筆觸發柵極G有效，說明該管為N溝道場效電晶體。若萬用表讀數仍為較大值，則黑表筆接回原引腳不變，改用紅表筆去觸碰柵極G後再接回原引腳，若此時萬用表讀數由原來阻值較大變為0，則此時黑表筆接的為源極S，紅表筆接的是漏極D。用表紅筆觸發柵極G有效，說明該管為P溝道場效應電晶體。