記憶體
1、目前市場上的主流品牌有：金士頓、金邦、宇瞻、微剛、勝創、現代、三星等。
2、記憶體的分類： 現在市場上記憶體可以分為兩種 SDRAM又稱為同步動態儲存器，可以與CPU外頻同步運作，有PC100、PC133、PC15、 等規格，目前的SDRAM都是以168PinDIMM的記憶體模組出現。
DDR SDRAM: DDR 是指Double Data Rate ,它的傳輸率是SDRAM的兩倍，DDR 標 準包括DDR I、DDRII 和DDRIII。DDRI 的主要型號有DDR266，工作頻率為133MHz； 現在DDRII 正在逐漸佔領主流市場。
3、記憶體的容量
每個時期記憶體條的容量都分為多種規格，目前流行的 168 線,SDRAM 記憶體常見 的記憶體容量有32MB、64MB、168MB、256MB、512MB、1GB 等。
4、資料頻寬：
資料頻寬指記憶體的資料傳輸速度，是衡量記憶體效能的重要指標。
5、時鐘週期
時鐘週期代表了 SDRAM 所能執行的最大頻率。這個數字越小，說明 SDRAM 晶片所能 執行的頻率就高。
6 存取週期
記憶體的速度用存取週期來表示。
7、選購記憶體的注意事項：
（1） 選擇記憶體的大小 （2） PCB 基板的選擇 （3） 良好的電氣效能 （4） 速度要匹配 （5） 控制CONS 開關
1 金士頓Kingston (1987 年美國,全球記憶體領導廠商, 記憶體十大品牌,評為美國最適宜工作的公司)
2 威剛ADATA (2001 年臺灣,全球第二大記憶體市場佔有 率,威剛科技有限公司)
3 海盜船Corsair (受尊敬的超頻記憶體製造商,於1994 年美國,全球最大的記憶體供應商之一)
4 三星Samsung (世界500 強企業,中國馳名商標,內 存十大品牌,1938 年韓國,三星集團)
5 宇瞻Apacer (1997 年臺灣,最具影響力的數碼儲存 品牌,知名品牌,宇瞻科技有限公司)
6 芝奇G.skill (於1989 年臺灣,全球領先的記憶體模 塊專業製造商,臺灣G.Skill 公司)
7 金邦GEIL (於1993 年香港,總部臺北,專業的記憶體 模組製造商之一,金邦科技)
8 現代Hynix (韓國著名專業的儲存器製造商,世界領（發表論文）先記憶體生產商,海力士集團)
9 OCZ 於2000 年美國,世界頂尖的記憶體品牌,專業開發 製造高品質(超頻)記憶體高新集團) 10 金泰克 (記憶體十大品牌,專業的記憶體模組製造商之 一,知名品牌,鉅鑫科技(香港)有限公司)
一、記憶體延遲時序“CL-tRCD-tRP-tRAS”的設定
首先，需要在BIOS 中開啟手動設定，在BIOS 設定中找到“DRAM Timing Selectable”， BIOS 設定中可能出現的其他描述有：Automatic Configuration、DRAM Auto、Timing Selectable、Timing Configuring By SPD 等，將其值設為“Menual”（視 BIOS 的不同可能 的選項有：On/Off 或Enable/Disable），如果要調整記憶體時序，應該先開啟手動設定，之後 會自動出現詳細的時序引數列表：
1、CL（CAS Latency）：“記憶體讀寫操作前列地址控制器的潛伏時間”（可能的選項： 1.5/2/2.5/3） BIOS 中可能的其他描述為：tCL、CAS Latency Time、CAS Timing Delay。這個引數很 重要，記憶體條上一般都有這個引數標記。在BIOS 設定中DDR 記憶體的CAS 引數選項通常有“1.5”、 “2”、“2.5”、“3”、“99期刊”幾種選擇，SDRAM 則只有“2”、“3”兩個選項。較低的CAS 週期能減少內 存的潛伏週期以提高記憶體的工作效率。因此只要能夠穩定執行作業系統，我們應當儘量把CAS 引數調低。反過來，如果記憶體執行不穩定，可以將此引數設大，以提高記憶體穩定性。
2、tRCD（RAS-to-CAS Delay）“行定址至列定址延遲時間”（可能的選項：2/3/4/5） BIOS 中的可能其他描述： tRCD、RAS to CAS Delay、Active to CMD 等。數值越小，性 能越好。 3、tRP(RAS Precharge Time): “記憶體行地址控制器預充電時間”（可能的選項：2/3/4） BIOS 中的可能其他描述：tRP、RAS Precharge、Precharge to active。預充電引數越 小則記憶體讀寫速度就越快。
4.tRAS(RAS Active Time): “記憶體行有效至預充電的最短週期” BIOS 中的可能其他描述：tRAS、Active to Precharge Delay、Row Active Time、Precharge Wait State、Row Active Delay、Row Precharge Delay、RAS www.99qk.com Active Time 等。一般我們可 選的引數選項有5，6 或者7 這3 個，但是在一些nForce 2 主機板上的選擇範圍卻很大，最高 可到 15，最低達到 1。調整這個引數需要結合具體情況而定，一般我們最好設在5－11 之間。 這個引數要根據實際情況而定，並不是說越大或越小就越好。具體的調整要遵循以下兩個原 則： a、當記憶體頁面數為4 時 ，tRAS 設定短一些可能會更好，但最好不要小於5。另外，短 tRAS 的記憶體效能相對於長 tRAS 可能會產生更大的波動性，對時鐘頻率的提高也相對敏感； 當記憶體頁面數大於或等於8 時，tRAS 設定長一些會更好。
目前的晶片組都具備多頁面管理的能力，所以如果可能，請儘量選擇雙P-Bank 的記憶體模 組以增加系統記憶體的頁面數量。但怎麼分辨是單P-Bank 還是雙 P-Bank 呢？就目前市場上的 產品而言，256MB 的模組基本都是單 P-Bank 的，雙面但每面只有 4 顆晶片的也基本上是單 P-Bank 的，512MB 的雙面模組則基本都是雙 P-Bank 的。
頁面數量的計算公式為： P-Bank 數量X4，如果是Pentium4 或AMD 64 的雙通道平臺， 則還要除以2。比如兩條單面256MB 記憶體，就是 2X4=8 個頁面，用在875 上組成雙通道就成 了4 個頁面。 b、對於875 和865 平臺，雙通道時頁面數達到8 或者以上時，tRAS 設定長一些記憶體性 能更好；對於非雙通道Pentium4 與AMD 64 平臺，tRAS 長短之間的效能差異要縮小 ，(期刊發表)Bank Interleaving“記憶體交錯技術”（可能的選項：Off/Auto/2/4） 這裡的Bank 是指L-Bank，目前的DDR RAM 的記憶體晶片都是由4 個L-Bank 所組成，為了 最大限度減少定址衝突，提高效率，建議設為 4（Auto 也可以，它是根據 SPD 中的 L-Bank 資訊來自動設定的）。